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BLF6G20LS-110

BLF6G20LS-110

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  • 厂商:NXP
    描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
  • 包装:original
    封装:SOT502B
  • 无铅情况/ROHS:ROHS
    类别:
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商品描述:

商品属性

Parametrics of this product

Symbol Parameter Conditions Min Typ/Nom Max Unit
frange frequency range   1800   2000 MHz
PL(1dB) nominal output power at 1 dB gain compression     110   W
Test signal: 2-c WCDMA
PL(AV) average output power     25   W
Gp power gain PL(AV) = 25 W; VDS = 28 V 18 19   dB
ηD drain efficiency VDS = 28 V; 1930 MHz < f < 1990 MHz; IDq = 900 mA; PL(AV) = 25 W 28 32   %
ACPR adjacent channel power ratio PL(AV) = 25 W; VDS = 28 V; IDq = 900 mA; 1930 MHz < f < 1990 MHz   -38 -33 dBc
IMD3 third-order intermodulation distortion VDS = 28 V; IDq = 900 mA; PL(AV) = 25 W   -34 -28 dBc

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