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BFU730F
射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS.110 GHz fT silicon germanium technology High maximum power gain 18.5 dB at 5.8 GHz Low noise high gain microwave transistor Noise figure (NF) = 0.8 dB at 5.8 GHz
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becky.lee@dxytech.com
BFU725F/N1
射频双极小信号晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
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BFR540
Parametrics of this product Symbol Parameter Conditions Min Typ/Nom Max Unit VCEO collector-emitter voltage IB = 0 A 15 V IC collector current 120 mA Ptot total power dissipation Tsp ≤ 70 °C 500 mW fT transition frequency VCE = 8 V; IC = 4
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BFG520W
射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ.NPN 9 GHz wideband transistors
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BGU7053
Low Noise High Linearity Amplifier射频放大器 2.5GHz 3.3V 65mA
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BGU7051
射频放大器 900MHz 3.3V 65mA
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BGU7005
射频放大器 AMP MMIC GPS LNA 6-XSON.SiGe:C LNA MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass
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BGU7003
射频放大器 GPS Amp SGL LW Noise Amp 6GHz 2.85V 6-Pin
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